XR46000ESE
XR46000ESE
XR46000ESE
零件编号:
XR46000ESE
产品分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
封装:
包装:
Bulk
数量:
0
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
库存
起订量:0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
170 pF @ 25 V
最大功耗
20W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-3
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
最大栅源电压
±30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
8Ohm @ 750mA, 10V
最新产品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-