TW083U65C,RQ
零件编号：
TW083U65C,RQ
产品分类：
-
描述：
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$25.36
$25.36
10+
$18.31
$183.1
100+
$18.23
$1823
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
28A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
111W (Tc)
工作温度
175°C
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+25V, -10V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
封装 / 外壳
8-PowerSFN
供应商器件封装
TOLL
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5V @ 600µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
873 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
124mOhm @ 15A, 18V
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