XP6NA6R0CMT-L
零件编号：
XP6NA6R0CMT-L
产品分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N CH 60V 21.7A PMPAK5X6L
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：3000
数量
价格
总价
3000+
$0.49
$1470
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
56 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.6V @ 250µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
6mOhm @ 20A, 10V
最大功耗
5W (Ta), 50W (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerLDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2960 pF @ 50 V
供应商器件封装
8-PMPAK (5x6)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
21.7A (Ta), 68A (Tc)
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