WI71060TR
零件编号：
WI71060TR
产品分类：
-
制造商：
描述：
POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
2498
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$7.77
$7.77
10+
$5.98
$59.8
25+
$5.54
$138.5
100+
$5.05
$505
250+
$4.82
$1205
500+
$4.68
$2340
1000+
$4.56
$4560
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
最大功耗
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
700 V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+6V, -4V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Tj)
封装 / 外壳
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.5V @ 10mA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
供应商器件封装
8-PDFN (8x8)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
65mOhm @ 2A, 6V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
216 pF @ 400 V
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