VTQ10N1K1LSA
零件编号：
VTQ10N1K1LSA
产品分类：
-
描述：
100V, Single N MOSFET, RDS(ON) 1
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
290
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$0.35
$0.35
10+
$0.28
$2.8
100+
$0.21
$21
500+
$0.17
$85
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
供应商器件封装
SOT-223
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
115mOhm @ 4A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1155 pF @ 50 V
最大功耗
10W
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