18923764396
szlcwkj@163.com
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
关于我们
联系我们
联系我们
企业文化
企业文化
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
联系我们
企业文化
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品列表
VTM306N300LSA
零件编号:
VTM306N300LSA
产品分类:
-
制造商:
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
描述:
60V, Single N MOSFET, RDS(ON) 30
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
数量:
300
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
VTM306N300LSA
询价
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$0.34
$0.34
10+
$0.27
$2.7
100+
$0.2
$20
500+
$0.16
$80
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
18A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19 nC @ 10 V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
30mOhm @ 15A, 10V
供应商器件封装
DFN3030
最大功耗
23W
最新产品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
了解更多
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
了解更多
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
了解更多
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
了解更多
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396