TP65H050G4WS
零件编号：
TP65H050G4WS
产品分类：
-
制造商：
描述：
650 V 34 A GAN FET
封装：
包装：
Tube
数量：
250
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$12.29
$12.29
30+
$9.31
$279.3
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24 nC @ 10 V
封装 / 外壳
TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
供应商器件封装
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
34A (Tc)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大功耗
119W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.8V @ 700µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1000 pF @ 400 V
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