18923764396
szlcwkj@163.com
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
关于我们
联系我们
联系我们
企业文化
企业文化
首页
产品中心
品牌
询价
资讯
关于我们
联系我们
企业文化
中文
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
首页
产品列表
STO60N045DM9
零件编号:
STO60N045DM9
产品分类:
-
制造商:
STMicroelectronics
描述:
N CHANNEL 600V 39 MOHM TYP 55A
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
0
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
STO60N045DM9
询价
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$10.77
$10.77
10+
$7.4
$74
100+
$6.02
$602
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
最大栅源电压
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.5V @ 250µA
最大功耗
245W (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerSFN
供应商器件封装
TOLL (HV)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
45mOhm @ 28A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4675 pF @ 400 V
最新产品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
了解更多
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
了解更多
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
了解更多
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
了解更多
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
了解更多
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396