SIR5810DP-T1-RE3
零件编号：
SIR5810DP-T1-RE3
产品分类：
-
制造商：
描述：
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
5970
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$1.64
$1.64
10+
$1.04
$10.4
100+
$0.69
$69
500+
$0.54
$270
1000+
$0.49
$490
2000+
$0.47
$940
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
10mOhm @ 10A, 10V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
7.5V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
900 pF @ 40 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
最大功耗
3W (Ta), 56.8W (Tc)
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