SICBG040N120H-TP
零件编号：
SICBG040N120H-TP
产品分类：
-
描述：
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：800
数量
价格
总价
800+
$10.59
$8472
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
最大功耗
250W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
最大栅源电压
+25V, -10V
供应商器件封装
TO-263-7LA
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 40mA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
52mOhm @ 30A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
229 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3619 pF @ 800 V
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