S3M0025120D
零件编号：
S3M0025120D
产品分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装：
包装：
Tube
数量：
295
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$20.69
$20.69
10+
$14.77
$147.7
300+
$11.49
$3447
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
77A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 20mA
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大栅源电压
+22V, -8V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
32mOhm @ 48A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
175 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3519 pF @ 1000 V
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