RQ3L120BLFRATCB
零件编号：
RQ3L120BLFRATCB
产品分类：
-
制造商：
描述：
NCH 60V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
3000
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$1.77
$1.77
10+
$1.12
$11.2
100+
$0.75
$75
500+
$0.59
$295
1000+
$0.54
$540
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
最大功耗
40W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V, 10V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
30mOhm @ 12A, 10V
供应商器件封装
8-HSMT (3.2x3)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
440 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 193µA
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