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产品列表
RH7G04CBLFRATCB
零件编号:
RH7G04CBLFRATCB
产品分类:
-
制造商:
ROHM Semiconductor
描述:
NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
3000
RoHS 状态:
支持
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PDF:
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起订量:1
数量
价格
总价
1+
$1.41
$1.41
10+
$0.88
$8.8
100+
$0.58
$58
500+
$0.45
$225
1000+
$0.41
$410
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
最大功耗
62W (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17.7 nC @ 10 V
工作温度
175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
40A (Ta)
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 600µA
供应商器件封装
DFN3333T8LSAB
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1140 pF @ 20 V
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