QS120SCM80D2P
零件编号：
QS120SCM80D2P
产品分类：
-
制造商：
描述：
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
封装：
包装：
Tube
数量：
1000
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$10.18
$10.18
10+
$9.89
$98.9
250+
$9.63
$2407.5
500+
$9.08
$4540
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
40A (Tc)
最大功耗
250W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+25V, -10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 20A, 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1001 pF @ 800 V
供应商器件封装
D2PAK-7L
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.8V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60 nC @ 20 V
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