QS1200SCM36
零件编号：
QS1200SCM36
产品分类：
-
制造商：
描述：
1200V 36AMP SiC Mosfet
封装：
包装：
Tube
数量：
990
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：50
数量
价格
总价
50+
$1.38
$69
100+
$1.28
$128
250+
$1.1
$275
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
认证
-
等级
Automotive
封装 / 外壳
TO-247-3
工作温度
-55°C ~ 175°C
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
2.8V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
36A
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
供应商器件封装
PG-TO247-3
最大栅源电压
+25V, -10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.8V @ 100µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60 nC @ 600 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1001 pF @ 800 V
最大功耗
198W
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