P3M12080K4
零件编号：
P3M12080K4
产品分类：
-
描述：
SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：0
数量
价格
总价
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
47A
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
96mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.4V @ 5mA (Typ)
最大栅源电压
+21V, -8V
最大功耗
221W
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