NVMFWD010N10MCLT1G
零件编号：
NVMFWD010N10MCLT1G
产品分类：
-
制造商：
描述：
PTNG 100V LL SO8FL DUAL
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
1500
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$3.55
$3.55
10+
$2.31
$23.1
100+
$1.6
$160
500+
$1.36
$680
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
100V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
26nC @ 10V
供应商器件封装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1800pF @ 50V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 97µA
最大功率
3.1W (Ta), 84W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
11.6A (Ta), 61A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
10.4mOhm @ 17A, 10V
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