NXVF6532M3TG01
零件编号：
NXVF6532M3TG01
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：0
数量
价格
总价
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
31A (Tc)
配置
4 N-Channel (Full Bridge)
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
650V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
44mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 7.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
58nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1215pF @ 400V
最大功率
65.2W (Tj)
封装 / 外壳
13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
供应商器件封装
APM16
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