NVMFS5C646NLET1G-YE
零件编号：
NVMFS5C646NLET1G-YE
产品分类：
-
制造商：
描述：
T6 60V S08FL
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
1500
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$2
$2
10+
$1.27
$12.7
100+
$0.85
$85
500+
$0.67
$335
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 80µA
供应商器件封装
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
封装 / 外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Ta), 93A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
4.7mOhm @ 50A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2164 pF @ 25 V
最大功耗
3.7W (Ta), 79W (Tc)
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