NC1M120C35HTNG
零件编号：
NC1M120C35HTNG
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247-
封装：
包装：
Tube
数量：
100
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：50
数量
价格
总价
50+
$27.76
$1388
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
75A (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压 (Vdss)
1.2 kV
最大栅源电压
+18V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
50mOhm @ 33.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 15mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
190 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2834 pF @ 1 kV
最大功耗
386W (Ta)
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