N3T080MP120D
零件编号：
N3T080MP120D
产品分类：
-
制造商：
描述：
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
封装：
包装：
Tube
数量：
882
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$9.85
$9.85
25+
$9.3
$232.5
100+
$8.75
$875
500+
$7.65
$3825
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
188W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
38A
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 15A, 20V
最大栅源电压
+20V, -5V
供应商器件封装
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 15mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
53 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
896 pF @ 800 V
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