MDD7N65D
库存
起订量：2500
数量
价格
总价
2500+
$1.5
$3750
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
7A (Ta)
最大栅源电压
±30V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
供应商器件封装
TO-252
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1090 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20.7 nC @ 10 V
最大功耗
100W (Ta)
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