MDD60N04D
库存
起订量：2500
数量
价格
总价
2500+
$0.54
$1350
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
29 nC @ 10 V
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
9.5mOhm @ 30A, 10V
供应商器件封装
TO-252
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A (Ta)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1030 pF @ 20 V
最大功耗
65W (Ta)
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