IXSJ25N120R1
零件编号：
IXSJ25N120R1
产品分类：
-
制造商：
描述：
1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$14.94
$14.94
30+
$9.07
$272.1
120+
$7.79
$934.8
510+
$7.55
$3850.5
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
28A (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大栅源电压
+21V, -4V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
81mOhm @ 12A, 18V
供应商器件封装
ISO247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.8V @ 5.3mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
52 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1435 pF @ 800 V
最大功耗
75.3W (Tc)
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