IV3Q12035T4Z
零件编号：
IV3Q12035T4Z
产品分类：
-
制造商：
描述：
GEN3, SIC MOSFET, 1200V 35MOHM,
封装：
包装：
Tube
数量：
40
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$11.02
$11.02
10+
$7.59
$75.9
100+
$5.64
$564
500+
$5.07
$2535
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
67A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
最大功耗
395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 12mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+20V, -5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
135 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3000 pF @ 800 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
46mOhm @ 30A, 18V
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码