IV2Q171R0D7Z
零件编号：
IV2Q171R0D7Z
产品分类：
-
制造商：
描述：
GEN2, SIC MOSFET, 1700V 1000MOHM
封装：
包装：
Strip
数量：
60
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$6.2
$6.2
10+
$4.14
$41.4
100+
$2.97
$297
500+
$2.47
$1235
1000+
$2.37
$2370
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
供应商器件封装
TO-263-7
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
最大功耗
73W (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压 (Vdss)
1700 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大栅源电压
+20V, -5V
封装 / 外壳
TO-263-7
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
910mOhm @ 1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 380uA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16.5 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
285 pF @ 1000 V
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码