IV1Q12750T3
零件编号：
IV1Q12750T3
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC MOSFET, 1200V 750MOHM, TO247
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：120
数量
价格
总价
120+
$2.76
$331.2
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+20V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
900mOhm @ 1.5A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15.8 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
260 pF @ 800 V
最大功耗
78.4W (Tc)
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