IV1Q12160D7Z
零件编号：
IV1Q12160D7Z
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO263
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：800
数量
价格
总价
800+
$3.38
$2704
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
供应商器件封装
TO-263-7
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5V @ 1.9mA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+20V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
195mOhm @ 10A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
43 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
885 pF @ 800 V
封装 / 外壳
TO-263-7
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