ISCH99N04NM7VATMA1
零件编号：
ISCH99N04NM7VATMA1
产品分类：
-
描述：
ISCH99N04NM7VATMA1
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$2.74
$2.74
10+
$1.76
$17.6
100+
$1.2
$120
500+
$0.97
$485
1000+
$0.95
$950
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
85 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V, 15V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
最大功耗
3W (Ta), 150W (Tc)
供应商器件封装
PG-TDSON-8
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4400 pF @ 20 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
40A (Ta), 284A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
0.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.15V @ 66µA
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