ISC016N04NM7VATMA1
ISC016N04NM7VATMA1
ISC016N04NM7VATMA1
零件编号:
ISC016N04NM7VATMA1
产品分类:
-
制造商:
描述:
ISC016N04NM7VATMA1
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
5000
RoHS 状态:
支持
分享:
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$1.76
$1.76
10+
$1.11
$11.1
100+
$0.74
$74
500+
$0.58
$290
1000+
$0.53
$530
2000+
$0.52
$1040
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
46 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V, 15V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2400 pF @ 20 V
供应商器件封装
PG-TDSON-8
最大功耗
3W (Ta), 94W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
31A (Ta), 174A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.49mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.15V @ 35µA
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