IMZA120R017M2HXKSA1
零件编号：
IMZA120R017M2HXKSA1
产品分类：
-
描述：
IMZA120R017M2HXKSA1
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$20.48
$20.48
30+
$12.83
$384.9
120+
$11.8
$1416
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
97A (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V, 18V
最大栅源电压
+23V, -7V
供应商器件封装
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5.1V @ 12.7mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
89 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2910 pF @ 800 V
最大功耗
382W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
23mOhm @ 40A, 18V
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