IAUCN04S7N006TATMA1
IAUCN04S7N006TATMA1
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1
零件编号:
IAUCN04S7N006TATMA1
产品分类:
-
制造商:
描述:
IAUCN04S7N006TATMA1
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
2000
RoHS 状态:
支持
分享:
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$3.89
$3.89
10+
$2.55
$25.5
100+
$1.78
$178
500+
$1.55
$775
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
7V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
146 nC @ 10 V
最大功耗
205W (Tc)
供应商器件封装
PG-LHDSO-10-3
封装 / 外壳
10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
425A (Tj)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
0.64mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 115µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10040 pF @ 20 V
最新产品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-