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产品列表
GWA75H65DRFB2AG
零件编号:
GWA75H65DRFB2AG
产品分类:
-
制造商:
STMicroelectronics
描述:
IGBT
封装:
包装:
Bulk
数量:
0
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
GWA75H65DRFB2AG
询价
库存
起订量:600
数量
价格
总价
600+
$2.84
$1704
产品参数
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-247-3
输入类型
Standard
集电极脉冲电流 (Icm)
240 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值)
650 V
IGBT类型
Trench Field Stop
供应商器件封装
TO-247 Long Leads
集电极电流(Ic)(最大值)
123 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
最大功率
395 W
测试条件
400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
开关能量
12.9mJ (on), 900µJ (off)
栅极电荷
253 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C
28ns/103ns
反向恢复时间
710 ns
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