GH50H65DRB2-7AG
零件编号：
GH50H65DRB2-7AG
产品分类：
-
制造商：
描述：
IGBT
封装：
包装：
Bulk
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1000
数量
价格
总价
1000+
$1.63
$1630
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
输入类型
Standard
集电极脉冲电流 (Icm)
200 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
650 V
IGBT类型
Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
测试条件
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
最大功率
385 W
集电极电流（Ic）（最大值）
108 A
供应商器件封装
H2PAK-7
栅极电荷
152 nC
开关能量
557µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C
-/117ns
反向恢复时间
912 ns
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