GT100P06D5
零件编号：
GT100P06D5
产品分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
100
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$1.96
$1.96
10+
$1.25
$12.5
100+
$0.84
$84
500+
$0.66
$330
1000+
$0.6
$600
2000+
$0.6
$1200
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
9mOhm @ 15A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
最大功耗
104W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
47 nC @ 10 V
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
封装 / 外壳
8-PowerSMD, Flat Leads
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3700 pF @ 30 V
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