GPI65060DFC
零件编号：
GPI65060DFC
产品分类：
-
制造商：
描述：
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
91
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$36.3
$36.3
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
封装 / 外壳
8-DFN
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
最大栅源电压
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.2V @ 3.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
420 pF @ 400 V
供应商器件封装
8-DFN (8x8)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
30mOhm @ 6A, 12V
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