GPI65005DF
零件编号：
GPI65005DF
产品分类：
-
制造商：
描述：
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
137
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$2.75
$2.75
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.4V @ 1.75mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
最大栅源电压
+7.5V, -12V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
45 pF @ 400 V
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