GP3T020A120H
零件编号：
GP3T020A120H
产品分类：
-
制造商：
描述：
GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
封装：
包装：
Tube
数量：
18
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$12.94
$12.94
10+
$8.98
$89.8
100+
$6.75
$675
500+
$6.26
$3130
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
115A (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 20mA
最大功耗
429W (Tc)
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+22V, -8V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
25mOhm @ 40A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
234 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6078 pF @ 1000 V
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