GCMX010B120S1-E1
零件编号：
GCMX010B120S1-E1
产品分类：
-
制造商：
描述：
1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
封装：
包装：
Tube
数量：
5
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$48.41
$48.41
10+
$36.33
$363.3
100+
$33.51
$3351
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
204A (Tc)
最大栅源电压
+25V, -10V
最大功耗
652W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 40mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
418 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10864 pF @ 1000 V
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