GCMX008C120S1-E1
零件编号：
GCMX008C120S1-E1
产品分类：
-
制造商：
描述：
GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
封装：
包装：
Tube
数量：
9
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$36.55
$36.55
10+
$26.98
$269.8
100+
$23.62
$2362
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
188A (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大栅源电压
+22V, -8V
最大功耗
536W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
12mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 40mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
506 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
14067 pF @ 1000 V
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