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产品列表
GC210N80FE
零件编号:
GC210N80FE
产品分类:
-
制造商:
Goford Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
封装:
包装:
Tube
数量:
50
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
GC210N80FE
询价
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$4.62
$4.62
10+
$3.04
$30.4
100+
$2.15
$215
500+
$1.76
$880
1000+
$1.64
$1640
2000+
$1.59
$3180
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
800 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
50 nC @ 10 V
最大栅源电压
±30V
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
最大功耗
51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.6V @ 250µA
封装 / 外壳
8-PowerSMD, Flat Leads
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
210mOhm @ 8.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2200 pF @ 380 V
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