G3F33MT06K
零件编号：
G3F33MT06K
产品分类：
-
描述：
650V 27M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
封装：
包装：
Tube
数量：
445
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$14.39
$14.39
10+
$12.01
$120.1
100+
$10.13
$1013
500+
$9.45
$4725
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
74A (Tc)
最大功耗
227W (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+22V, -10V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
81 nC @ 18 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
38mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.3V @ 12mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2394 pF @ 400 V
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