G3F25MT12J-TR
零件编号：
G3F25MT12J-TR
产品分类：
-
描述：
1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
799
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$19.46
$19.46
10+
$15.7
$157
100+
$15.15
$1515
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装
TO-263-7
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
87A (Tc)
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大栅源电压
+22V, -10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
128 nC @ 18 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.3V @ 24mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3325 pF @ 800 V
最大功耗
362W (Tc)
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