FQA65N20
零件编号：
FQA65N20
产品分类：
-
描述：
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
封装：
包装：
Tube
数量：
3905
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：200
数量
价格
总价
200+
$5.28
$1056
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
封装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
200 nC @ 10 V
最大栅源电压
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5V @ 250µA
供应商器件封装
TO-3PN
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7900 pF @ 25 V
最大功耗
310W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
32mOhm @ 32.5A, 10V
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