FF07015QA
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$2158
600+
$21.06
$12636
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
安装类型
-
封装 / 外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
最大栅源电压
+18V, -8V
最大功耗
555W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
136A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
750 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
20mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 100mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
329 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7252 pF @ 500 V
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