E3M0900170J-TR
零件编号：
E3M0900170J-TR
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-263
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$7.46
$7.46
10+
$5.01
$50.1
100+
$3.61
$361
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
最大功耗
41W (Tc)
供应商器件封装
TO-263-7
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏极至源极电压 (Vdss)
1700 V
最大栅源电压
+19V, -8V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8 nC @ 15 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.2V @ 550µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
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