E3M0900170D
零件编号：
E3M0900170D
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
封装：
包装：
Tube
数量：
363
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$7.46
$7.46
30+
$4.24
$127.2
120+
$3.53
$423.6
510+
$3.01
$1535.1
1020+
$2.82
$2876.4
2010+
$2.67
$5366.7
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
最大功耗
41W (Tc)
供应商器件封装
TO-247-3
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
漏极至源极电压 (Vdss)
1700 V
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
最大栅源电压
+19V, -8V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10 nC @ 15 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.25Ohm @ 1.99A, 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
202 pF @ 1.2 kV
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 550µA
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