DMP2016UFDE-7
DMP2016UFDE-7
DMP2016UFDE-7
零件编号:
DMP2016UFDE-7
产品分类:
-
制造商:
描述:
IC
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
0
RoHS 状态:
支持
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库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$0.79
$0.79
10+
$0.49
$4.9
100+
$0.32
$32
500+
$0.24
$120
1000+
$0.22
$220
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
最大栅源电压
±8V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.1V @ 250µA
最大功耗
900mW (Ta)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1710 pF @ 15 V
封装 / 外壳
6-PowerUDFN
供应商器件封装
U-DFN2020-6 (Type E)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
15mOhm @ 7A, 4.5V
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