CMS120N007WH
零件编号：
CMS120N007WH
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC N-MOSFET,1200V,160A,TO-247HC
封装：
包装：
Bulk
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$29.28
$29.28
10+
$21.33
$213.3
100+
$17.88
$1788
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
160A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
750W (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.5V @ 10mA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V, 20V
最大栅源电压
-10V, +20V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
9mOhm @ 80A, 20V
供应商器件封装
TO-247HC-4L
封装 / 外壳
TO-247-4L
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