CLB800M12HM3P
零件编号：
CLB800M12HM3P
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC MODULE, 800 A, 1200 V, 62 MM
封装：
包装：
Box
数量：
3
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$3463.56
$3463.56
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
-
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
Module
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
配置
2 N-Channel, Common Source (Half Bridge)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.051kA (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.7mOhm @ 800A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.9V @ 255mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2784nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
94900pF @ 800V
最大功率
2.54kW (Tc)
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